多肽涂层突破脑机界面技术瓶颈

        近日，中国科学院理化技术研究所等科研团队研发出一款多功能阳离子交替肽电极界面涂层，兼顾优异生物相容性、广谱抗菌、抗蛋白与离子黏附、强效抑制异物反应四大特性，且不破坏电极电化学性能。改性的柔性神经电极，在动物模型中完成多项验证，有望为超长期使用、可无损更换的临床级脑机接口产品提供通用解决方案。
        脑机接口是神经医学、康复工程与人工智能交叉领域的前沿技术。电极与脑组织间的神经融合界面直接决定设备使用寿命、信号采集精度与临床安全，是实现长期稳定神经记录、闭环精准神经调控的基础。当前，界面技术仍存短板，柔性基底、导电高分子、单一功能修饰涂层等技术仅能优化某一项缺陷，无法同步实现长效抑菌、抑制生物污损、削弱免疫排斥、稳定电学性能、电极无损回收等临床需求，制约了脑机接口的临床落地应用。
        此次研发的多肽修饰材料可适配硅、金、聚酰亚胺、医用聚氨酯等多种植入类医疗器械基底，通过表面共价接枝形成超薄修饰层，依托适度高电势活性及氢键水合屏障实现多重功能协同，且不改变电极本身力学与电学属性。
        实验结果显示，该涂层可有效阻止“生物粘连”，电极可完整无损取出，且脑组织无大面积损伤。脑组织免疫染色显示，改性电极周边星形胶质细胞、巨噬细胞数量仅为裸电极组1/5左右，电极500μm范围内神经元密度接近健康脑组织，解决了传统电极周边“神经元荒漠”难题。

        （来源：中国医药报）